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申请/专利权人：苏州融睿电子科技有限公司
摘要：本申请提供了一种芯片封装结构，包括设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与晶圆层电连接的金属引线。第一导热层包裹晶圆层，晶圆层的厚度为0.4‑0.6mm，第一导热层的厚度为0.08‑0.12mm；第二导热层未完全包裹第一导热层，且第二导热层覆盖第一导热层的面积大于第一导热层自身面积的90％，且第二导热层的厚度为0.18‑0.22mm；第二导热层的导热系数大于第一导热层的导热系数；密封层的厚度为0.2‑0.4mm，以提升芯片封装结构的整体散热效果。
主权项：1.一种芯片封装结构，包括：设置在晶圆层外围的第一导热层、第二导热层、密封层，以及与所述晶圆层电连接的金属引线；其特征在于，所述第一导热层包裹所述晶圆层，所述晶圆层的厚度T1为0.4-0.6mm；所述第一导热层包括第一上导热层和第一下导热层；所述金属引线与所述晶圆层连接，并从所述第一上导热层和所述第一下导热层接触的位置引出，所述第一导热层的厚度T2为0.08-0.12mm；所述第二导热层未完全包裹所述第一导热层，且所述第二导热层覆盖所述第一导热层的面积大于所述第一导热层自身面积的90％，且所述第二导热层的厚度T3为0.18-0.22mm；所述第二导热层未完全包裹所述第一导热层的位置填充所述密封层，所述密封层的厚度T4为0.2-0.4mm，所述金属引线的直径为0.08-0.12mm；所述第二导热层的导热系数大于所述第一导热层的导热系数，所述第一导热层的热膨胀系数与所述晶圆层的热膨胀系数之差的绝对值小于所述第二导热层的热膨胀系数与所述晶圆层的热膨胀系数之差的绝对值。
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