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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明公开了一种基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFIS型堆叠FeFET器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。源极区和漏极区嵌入衬底中，两者之间留有隔离区；隔离区上依次设有介质层、铁电层；还包括三个电极，源极电极设置在源极区的上表面；漏极电极设置在漏极区的上表面；栅极电极设置在铁电层的上表面；在衬底上生长有钝化保护层；钝化保护层内还在三个电极对应的位置开设三个通孔，三个通孔内设有导电材料；三个电极通过导电材料与三个接触点连通。本发明有效抑制了铁电层元素与衬底元素之间的元素扩散，以及降低了衬底注入电荷抵消铁电极化电荷后对存储性能的影响。介质层的插入可以有效降低器件的漏电流，增强器件的耐久性能。
主权项：1.基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFIS型堆叠FeFET器件，其特征在于，包括：衬底101；源极区105和漏极区106嵌入衬底101中，两者之间留有隔离区；隔离区上依次设有介质层102、铁电层103；还包括三个电极，分别为源极电极107、栅极电极104、漏极电极108；源极电极107设置在源极区105的上表面；漏极电极108设置在漏极区106的上表面；栅极电极104设置在铁电层103的上表面；在衬底101上生长有钝化保护层109，源极电极107、介质层102、铁电层103、栅极电极104、漏极电极108均位于钝化保护层109内；钝化保护层109内还在三个电极对应的位置开设三个通孔，分别为第一通孔1091、第二通孔1092和第三通孔1093，三个通孔内设有导电材料；三个通孔的顶部位于钝化保护层109的上表面，分别设有三个接触点，分别为源极接触点201、栅极接触点202和漏极接触点203，三个电极通过导电材料与三个接触点连通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 基于掺杂氮化铝薄膜的顶栅MFIS型堆叠FeFET器件及其制备方法
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