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申请/专利权人：阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司
摘要：一种用于半导体晶片的通孔的钝化方法，该方法至少包括以下步骤：提供具有上侧、下侧并且包括多个太阳能电池堆叠的半导体晶片，其中，每个太阳能电池堆叠按顺序地具有构成半导体晶片的下侧的Ge衬底、Ge子电池、至少两个III‑V族子电池，并且具有至少一个贯通开口，所述至少一个贯通开口从半导体晶片的上侧延伸至下侧并且具有连贯的侧壁和椭圆形横截面的外周；借助化学气相沉积将介电的隔离层施加到半导体晶片的上侧、半导体晶片的下侧和贯通开口的侧壁上。
主权项：1.一种钝化方法，所述钝化方法用于半导体晶片10的通孔，所述钝化方法至少包括以下步骤：-提供如下的半导体晶片10：所述半导体晶片具有上侧10.1、下侧10.2并且包括多个太阳能电池堆叠12；-其中，每个太阳能电池堆叠12按顺序地具有Ge衬底14、Ge子电池16、至少两个III-V族子电池18，20并且具有至少一个贯通开口22，其中，所述Ge衬底构成所述半导体晶片10的下侧10.1，所述至少一个贯通开口从所述半导体晶片10的上侧10.1延伸至所述半导体晶片10的下侧10.2并且具有连贯的侧壁22.1和椭圆形横截面的外周；-将包含SiOx的介电的隔离层24施加到所述半导体晶片10的上侧10.1、所述半导体晶片10的下侧10.2和所述贯通开口22的侧壁22.1上，在所述侧壁的区域中具有至少10nm的层厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 用于半导体晶片的通孔的钝化方法
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