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申请/专利权人：应用材料公司
摘要：一种形成牺牲填充材料的方法，该材料可经选择性地去除以便形成晶体管背侧电力导轨的背侧接触通孔。在一些实施方式中，该方法可包括在具有保形地涂覆有氧化物层的开口的基板上执行蚀刻工艺，其中该蚀刻工艺为使用氯气的各向异性干法蚀刻工艺以从基板区域且仅从开口的底部去除氧化物层，并且其中该蚀刻工艺在开口中形成部分氧化间隔物且增加开口的深度，以及通过在约1托至约100托的腔室压力下，以约60sccm至约90sccm的速率流动氯化氢气体来在开口中外延地生长牺牲填充材料。
主权项：1.一种用于形成牺牲填充材料的方法，包含以下步骤：在具有保形地涂覆有氧化物层的开口的基板上执行蚀刻工艺，其中所述蚀刻工艺为使用氯气的各向异性干法蚀刻工艺，所述氯气从所述基板的区域且仅从所述开口的底部去除所述氧化物层，且其中所述蚀刻工艺在所述开口中形成部分氧化间隔物且增加所述开口的深度；和通过在约1托至约100托的腔室压力下，以约60sccm至约90sccm的速率流动氯化氢气体而在所述开口中外延地生长所述牺牲填充材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 应用材料公司 用于形成背侧电力导轨的方法及装置
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