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申请/专利权人：ARM有限公司
摘要：本文描述的各种实现涉及一种具有第一存储器结构和第二存储器结构的集成电路。第一存储器结构设置在集成电路的第一区域中，并且第一存储器结构具有带有第一晶体管的第一存储器单元。第二存储器结构设置在集成电路中的与第一区域不同的第二区域中，并且第二存储器结构具有带有第二晶体管的第二存储器单元，第二晶体管与第一晶体管分离。第二存储器单元的第二晶体管被布置为提供输出振荡频率，用于检测第一存储器单元的第一晶体管的性能变化。
主权项：1.一种集成电路，包括：第一存储器结构，设置在所述集成电路的第一区域中，所述第一存储器结构具有带有第一晶体管的第一存储器单元；以及第二存储器结构，设置在所述集成电路中的不同于所述第一区域的第二区域中，所述第二存储器结构具有带有第二晶体管的第二存储器单元，所述第二晶体管与所述第一晶体管分离，其中所述第二存储器单元的所述第二晶体管被布置为提供输出振荡频率，用于检测所述第一存储器单元的所述第一晶体管的读取性能和写入性能的变化，其中，所述写入性能与所述第一存储器单元的所述第一晶体管的写入电流相关联。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ARM有限公司 用于存储器读取和写入特性的性能变化的传感器
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