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申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司

摘要：本申请公开了一种用于SRAM写入辅助的装置，其包含：电源电路，在写入准备阶段先供电给行SRAM储存单元，再停止供电给该行SRAM储存单元，使该行SRAM储存单元电源端的电压浮动；写入驱动电路，在写入驱动阶段依据数据信号而导通，以将该行SRAM储存单元的位线耦接至接地端；电荷分享电路，在电荷分享阶段令该电源端耦接电容的第一端，以令该电源端的电压通过充电该电容而下降；耦合电容充电电路包含充电开关耦接于操作电压端与该电容的第一端之间，该充电开关在充电阶段导通以充电该电容；以及负电压耦合电路包含该电容，在负电位产生阶段，该电容的第一端与第二端分别耦接该接地端与该位线，以将该位线的电压拉至负电压。

主权项：1.一种用于静态随机存取内存写入辅助的装置，其特征在于，所述装置包含：电源电路，用来在写入准备阶段，先依据供电选择信号供应电源电压给行SRAM储存单元，再依据所述供电选择信号停止供应所述电源电压给所述行SRAM储存单元，使所述行SRAM储存单元的电源端的电压处于浮动状态；写入驱动电路，耦接于所述行SRAM储存单元与负电压耦合电路之间，用来在写入驱动阶段依据数据信号而导通，以将所述行SRAM储存单元的位线经由所述负电压耦合电路耦接至第一低电压端，从而将所述位线的电压拉至所述第一低电压端的电压；电荷分享电路，耦接于所述电源电路与所述负电压耦合电路之间，用来在电荷分享阶段依据电荷分享控制信号而导通，以令所述行SRAM储存单元的所述电源端耦接所述负电压耦合电路的电容的第一端，从而令所述电源端的电压通过充电所述电容而下降；耦合电容充电电路，包含充电开关，所述充电开关耦接于操作电压端与所述电容的所述第一端之间，用来在充电阶段依据所述电荷分享控制信号与第一开关信号而导通，从而让所述操作电压端的电压充电所述电容，其中所述电荷分享电路在所述充电阶段依据所述电荷分享控制信号而不导通；以及所述负电压耦合电路，包含所述电容，其中所述电容的所述第一端在负电位产生阶段耦接第二低电压端，所述电容的第二端在所述负电位产生阶段经由写入驱动器耦接所述行SRAM储存单元的所述位线，以将所述位线的电压拉低；其中，在所述负电位产生阶段，所述充电开关不导通，且所述行SRAM储存单元的所述位线经由所述负电压耦合电路至所述第一低电压端之间的路径不导通；所述负电压耦合电路包含：开关信号产生电路，用来依据写入辅助控制信号产生所述第一开关信号；第一开关，耦接于所述电容的所述第二端与所述第一低电压端之间，用来在所述电荷分享阶段与所述充电阶段依据所述第一开关信号而导通，并在所述负电位产生阶段依据所述第一开关信号而不导通；以及第二开关，耦接于所述电容的所述第一端与所述第二低电压端之间，用来在所述电荷分享阶段与所述充电阶段依据所述写入辅助控制信号而不导通，以及在所述负电位产生阶段依据所述写入辅助控制信号而导通。

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