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申请/专利权人：西北工业大学;西安稀有金属材料研究院有限公司
摘要：本发明属于合金材料及其制备技术领域，涉及一种共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜及其制备方法。所述的制备方法包括以下步骤：采用磁控共沉积溅射技术向硅基底上同时溅射沉积NbMoWTa和Ag，其中使用直流电源控制NbMoWTa靶溅射，使用射频电源控制Ag靶溅射，通过调控不同的射频功率，获得不同Ag含量的NbMoWTa1‑xAgx共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜。本发明提供的制备方法工艺简单、稳定可控，所得到的薄膜表面光滑、结构致密、无明显缺陷。薄膜硬度高、摩擦低、超耐磨，可为实现难熔高熵合金薄膜在关键润滑部件的应用提供技术基础。
主权项：1.一种耐磨共沉积难熔高熵合金薄膜，其特征在于：包括以下合金组分：NbMoWTa100-xAgx，其中的x=5或8或15或25；所述合金薄膜为15~20nm的Ag层状偏析的亚结构，薄膜厚度在3.0~3.5μm；所述合金薄膜的摩擦系数为0.30~0.35，磨损率为2.0×10-6~3.0×10-6mm3N·m；该耐磨共沉积难熔高熵合金薄膜的制备方法，具体包括以下步骤：S1、溅射准备：将NbMoWTa和Ag靶材分别置入共沉积磁控溅射炉内的靶台上，将硅基底置入基片台上，随后依次启动机械泵和分子泵，将炉内真空度抽至5×10-5~8×10-5Pa，通入离化气体，保持炉内气压为0.4~0.7Pa；S2、预溅射：在预定的工作气压下启动靶台电源，诱导靶材进行辉光放电，并保持10~20min，以去除靶材表面污染物，保证薄膜成品的质量；S3、溅射镀膜：打开靶台和基片台的挡板，设置基片台以2~4rpm的速率自旋，开始溅射，待4~5h后结束溅射，关闭靶台电源，保持通离化气体，使样品在离化气体的气氛中冷却至室温后取出，得到共沉积难熔高熵合金耐磨薄膜。
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权利要求：
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