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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明公开了一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，属于共格析出强化面心立方高熵合金领域。该工艺包括高温固溶、小变形冷轧、短时退火和水淬四个步骤；所制备的共格析出强化面心立方高熵合金中低能态晶界比例高于70％，其中Σ3晶界比例大于60％。该方法对晶界析出相析出行为的抑制作用有望显著提成合金与晶界相关的性能，促进共格析出强化面心立方高熵合金在苛刻使役环境下的应用。此外，该方法采用的小变形冷轧和短时退火工艺可有效降低材料的生产成本，缩短制造周期，具有显著经济效益。
主权项：1.一种抑制面心立方高熵合金中有害晶界析出相析出的晶界调控工艺，其特征在于：该工艺包括以下步骤：（1）固溶处理：将共格析出强化面心立方高熵合金板材高温固溶后水淬；（2）将经步骤（1）固溶处理后的板材进行冷轧；（3）将步骤（2）中获得的冷轧板进行短时退火；（4）将步骤（3）所得退火试样进行水淬处理；所述高熵合金为NiCoCr94Al3Ti3；步骤（1）中，所述共格析出强化面心立方高熵合金为具有低层错能的共格析出强化面心立方高熵合金；步骤（1）中，所述共格析出强化面心立方高熵合金板材在1200℃条件下固溶处理5min后水淬；步骤（2）中，所述冷轧过程采用小压下量多道次的轧制方式，其中轧制道次为2~4次，冷轧总压下量5%~10%；步骤（3）中，短时退火处理温度为1000℃~1150℃，退火时间为5min~30min；经步骤（4）水淬处理后的共格析出强化面心立方高熵合金中低能态晶界ΣCSL≤29的比例提高到不低于70%，其中Σ3晶界比例大于60%。
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