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申请/专利权人：浙江正泰电器股份有限公司;上海新池能源科技有限公司
摘要：本申请公开一种复合导体及其制备方法和应用。本申请所述的复合导体的制备方法，包括如下步骤：提供初始金属基体，对所述初始金属基体进行氧化处理，得到预氧化金属基体；在还原性气氛中，对所述预氧化金属基体进行退火处理，然后将所述预氧化金属基体置于沉积室中，在第一温度下，向所述沉积室中通入碳源一段时间，以进行石墨烯的沉积；停止通入碳源，改为通入含氧气体一段时间，然后停止通入含氧气体，改为通入碳源，以进行石墨烯的沉积；重复所述步骤C共n次，其中，n为大于等于0的整数，得到复合导体。本申请所述的制备方法制备得到的复合导体具有较高的导电性。
主权项：1.一种复合导体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：A、提供初始金属基体，对所述初始金属基体进行氧化处理，得到预氧化金属基体，所述预氧化金属基体包括金属基体和位于所述金属基体至少一表面的金属氧化物层，所述金属氧化物层包括结合于所述金属基体的第一金属氧化物层和结合于所述第一金属氧化物层的远离所述金属基体的表面的第二金属氧化物层，所述金属基体中包括第一金属，所述第一金属氧化物层中包括金属氧化物和金属亚氧化物，所述第二金属氧化物层中包括金属氧化物，所述第一金属氧化物层中，所述金属氧化物和所述金属亚氧化物的质量比的范围为（0.001~0.05）:1；B、在还原性气氛中，对所述预氧化金属基体进行退火处理，在还原性气氛中退火处理前的所述预氧化金属基体中氧的含量为150~300ppm，在还原性气氛中退火处理后的所述预氧化金属基体中氧的含量为20~100ppm，然后将所述预氧化金属基体置于沉积室中，在第一温度下，向所述沉积室中通入碳源一段时间；C、停止通入碳源，改为通入含氧气体一段时间，然后停止通入含氧气体，改为通入碳源；D、重复所述步骤C共n次，其中，n为大于等于0的整数，得到复合导体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江正泰电器股份有限公司 上海新池能源科技有限公司 复合导体及其制备方法和应用
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