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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本发明提供一种调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，所述方法包括：将第一前驱体及载流气体进行混合以形成混合气体并储存于缓存器内；将所述混合气体以预设速率通入反应腔体内使其吸附于晶圆表面，且在通入过程中利用真空泵以预设功率对所述反应腔体进行抽气以使其腔体压力维持在一定压力值以下；将第二前驱体通入所述反应腔体内使其吸附于所述晶圆表面，并与所述第一前驱体发生反应以生成所需薄膜；将上述步骤循环多次以使所述薄膜达到预定厚度。通过本发明可在不更改机台硬件配置的前提下，灵活的调控原子层沉积薄膜厚度均匀性。
主权项：1.一种调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1将第一前驱体及载流气体进行混合以形成混合气体并储存于缓存器内，且所述第一前驱体与所述载流气体通入所述缓存器内进行混合时的流量之比为1:1～5:1；步骤2将所述混合气体以预设流速通入反应腔体内使其吸附于晶圆表面，且在通入过程中利用真空泵以预设功率对所述反应腔体进行抽气以使其腔体压力维持在0.006torr以内，其中，通过对储存于所述缓存器内的所述混合气体设定通气时间，使其得到通入所述反应腔体内所需的所述预设流速；步骤3将第二前驱体通入所述反应腔体内使其吸附于所述晶圆表面，并与所述第一前驱体发生反应以生成所需薄膜；将上述步骤循环多次以使所述薄膜达到预定厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法
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