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申请/专利权人：中天合金技术有限公司;江苏中天科技股份有限公司
摘要：本发明公开了一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，铜基底准备和表面处理；S2，传送铜基底；S3，注入第一金属前驱体材料；S4，去除多余第一金属前驱体材料；S5，等离子体反应；S6，去除副产物；S7，循环步骤S3~S6，调节第一单原子金属镀层厚度；S8，再按照步骤S3~S7，沉积第二单原子金属镀层。本发明的优点在于利用等离子增强原子层沉积技术在铜基底表面沉积金属镀层可以实现高质量、均匀、附着力强的金属镀层，同时能够通过双镀层实现铜基底的导电性、界面结合强度和耐腐蚀性提升。
主权项：1.一种等离子增强原子层沉积技术在铜基底沉积金属镀层的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，铜基底准备和表面处理：首先，需要对铜基底表面进行准备和处理，清洗表面的污染物；S2，传送铜基底：在原子层沉积装置中，铜基底被传送至沉积腔室中，并且将沉积腔室进行抽真空和升温，并通入氢气进行还原，待还原反应后再进行抽真空；S3，注入第一金属前驱体材料：在恒定的反应时间和流量下向沉积腔室中注入高纯氮气和第一金属前驱体材料，并调节内部反应温度；S4，去除多余第一金属前驱体材料：向沉积腔室中通入高纯氮气进行吹扫，去除多余的金属前驱体气体，只保留铜基底表面一层的金属前驱体分子；S5，等离子体反应：在金属前驱体分子的注入完成后，需要注入等离子体与金属前驱体分子进行反应，以生成对应的第一单原子金属镀层；S6，去除副产物：在达到反应时间后，通入高纯氮气，清除生成的副产物；S7，调节第一单原子金属镀层厚度：根据镀层厚度设置固定的反应循环数，循环步骤S3~S6；S8，沉积第二单原子金属镀层：再按照步骤S3~S7，通过第二金属前驱体材料在第一单原子金属镀层表面形成对应特定厚度的第二单原子金属镀层。
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