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申请/专利权人：北京中博芯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种在硅上制备高质量无裂纹氮化铝薄膜的方法及其应用。本发明通过MOCVD在Si衬底上高温外延生长AlN，接着维持高温，在其上外延GaN帽层，利用AlN较GaN更小的晶格常数向薄膜体系施加压应力，以补偿降温过程中的热张应力，随后再将GaN帽层去除，从而获得具有一定厚度且不开裂的高质量AlN薄膜。该方法简捷有效，将所制备的AlN基材料应用于薄膜体声波谐振器，有助于提升器件性能。
主权项：1.一种在硅上制备无裂纹AlN薄膜的方法，包括以下步骤：1）将Si衬底放入MOCVD生长腔室中，对Si衬底进行原位烘烤后，高温外延生长所需厚度的AlN层；2）维持高温，在AlN层上外延生长GaN帽层；3）降温后将GaN帽层去除，得到硅上AlN薄膜；其中，在步骤1）先升温至900℃~1100℃，在50~300mbar压力的H2氛围下对Si衬底进行原位烘烤；步骤1）在生长温度为800℃~1200℃，反应室压力为50~200mbar，生长速度为0.1~0.5µmh，VIII为100~10000的条件下外延生长AlN层；步骤1）在Si衬底上外延生长厚度为500~1500nm的AlN层；步骤2）在生长温度为900℃~1100℃，反应室压力为50~300mbar，生长速度为0.5~3µmh，VIII为500~5000的条件下外延生长GaN帽层；步骤2）在AlN层上外延生长厚度为50~300nm的GaN帽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京中博芯半导体科技有限公司 一种在硅上制备高质量无裂纹氮化铝薄膜的方法及其应用
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