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申请/专利权人：日本碍子株式会社
摘要：本发明提供一种III族元素氮化物半导体基板，其是具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，抑制了裂纹及开裂的发生。本发明的实施方式所涉及的III族元素氮化物半导体基板为具备第一面和第二面的III族元素氮化物半导体基板，厚度为200μm以上，在该第一面的表面的包括中央部在内的区域的偏光显微镜观察中得到的正交尼科尔图像之中画出的长度2mm的线段中的明暗的切换次数N为30以上。
主权项：1.一种III族元素氮化物半导体基板，其具备第一面和第二面，所述III族元素氮化物半导体基板的特征在于，厚度为200μm以上，在该第一面的表面的包括中央部在内的区域的偏光显微镜观察中得到的正交尼科尔图像之中画出的长度2mm的线段中的明暗的切换次数N为30以上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 日本碍子株式会社 III族元素氮化物半导体基板及贴合基板
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