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基于温控网状二氧化钒微结构的太赫兹宽带吸波器 

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申请/专利权人:广东工业大学

摘要:本发明提供的基于温控网状二氧化钒微结构的太赫兹宽带吸波器,包括:多个周期性排列的结构单元,所述结构单元包括:基底层和位于基底层上方的二氧化钒谐振层,所述基底层为四层结构,由上至下分别为:第一层介质基板、二氧化钒基底层、第二层介质基板和金基底层;在不同温度下,结构单元的电导率不同,使得太赫兹宽带吸波器的共振特性发生变化,实现对吸波强度的动态调控;具有工作波段宽、吸收效率高、吸收强度可连续动态调控的有益效果;适用于吸波器微结构设计的技术领域。

主权项:1.基于温控网状二氧化钒微结构的太赫兹宽带吸波器,其特征在于,包括:多个周期性排列的结构单元,所述结构单元包括:基底层和位于基底层上方的二氧化钒谐振层(10),所述基底层为四层结构,由上至下分别为:第一层介质基板(20)、二氧化钒基底层(30)、第二层介质基板(40)和金基底层(50);在不同温度下,二氧化钒谐振层(10)和二氧化钒基底层(30)的电导率不同,使得太赫兹宽带吸波器的共振特性发生变化,实现对吸波强度的连续动态调控;所述二氧化钒谐振层(10)为方形框结构,相邻结构单元的二氧化钒谐振层(10)连为一体,所述方形框的宽度为10~14μm;所述结构单元的排列周期为Px=Py=80~120μm;所述第一层介质基板(20)、第二层介质基板(40)的材料均为二氧化硅;所述二氧化硅的介电常数为3.8;所述二氧化钒谐振层(10)的厚度为0.01μm;所述第一层介质基板(20)的厚度为18~23μm;二氧化钒基底层(30)的厚度为1~2μm;第二层介质基板(40)的厚度为10~20μm;金基底层(50)的厚度为5~15μm。

全文数据:

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