首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料、制备方法和应用 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:重庆大学

摘要:本发明公开了一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料、制备方法和应用,所述正极材料为MgxV10O24·nH2O,其中,x为嵌入该正极材料中镁离子的摩尔数,x和n均为有理数,且x和n均大于0。本发明采用简单的高温沉淀法,可一步合成尺寸和形貌均一的Mg2+预插层水合氧化钒纳米花镁离子电池正极材料,解决了现有储镁技术上存在的扩散动力学缓慢的难题的同时,还解决了插入扩散型镁离子电池循环稳定性差的技术瓶颈。

主权项:1.一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料,其特征在于,所述正极材料为MgxV10O24·nH2O,其中,x为嵌入该正极材料中镁离子的摩尔数,x和n均为有理数,且x和n均大于0;所述正极材料用于制备水系镁离子电池;所述正极材料通过如下步骤制备:步骤1:向V2O5中加入过氧化氢溶液,发生放热反应,得到黄橙色透明溶液,再加入去离子水,得到溶液A;其中,过氧化氢溶液中过氧化氢的质量百分比≥30%,且溶液A中V2O5的浓度为0.01~0.2molL;步骤2:将镁源溶于去离子水中,得到溶液B;其中,溶液B中镁源的镁浓度为0.01~0.5molL;步骤3:将溶液A和溶液B混合后,加热至200~400℃,反应2~10h,得到沉淀物;步骤4:收集步骤3得到的沉淀物并离心洗涤,干燥后得到所述正极材料。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 重庆大学 一种镁离子预插层水合氧化钒正极材料、制备方法和应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。