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申请/专利权人：瓴科微(上海)集成电路有限责任公司

摘要：本发明提供了一种防过冲的LVDS接收电路，包括：电源Vsubp、电源Vsubn、新型P输入放大管、新型N输入放大管，所述电源Vsubp分别连接两个新型P输入放大管的Subp端，所述电源Vsubn分别连接两个新型N输入放大管的Subn端，且所述新型P输入放大管的Outn端与同侧对应的新型N输入放大管Outp端相连接。本发明提供的防过冲的LVDS接收电路，该电路简洁，易于实现，且能够优化输出的毛刺问题，便于使用。

主权项：1.一种防过冲的LVDS接收电路，其特征在于，包括：电源Vsubp、电源Vsubn、新型P输入放大管、新型N输入放大管，所述电源Vsubp分别连接两个新型P输入放大管的Subp端，所述电源Vsubn分别连接两个新型N输入放大管的Subn端，且所述新型P输入放大管的Outn端与同侧对应的新型N输入放大管Outp端相连接；所述新型N输入放大管包括第一N型mos管、第一栅极驱动模块、第一衬底驱动模块及第一电荷平衡模块，所述第一N型mos管的源极为SubN端，漏极为Outn端，所述第一N型mos管的栅极连接所述第一栅极驱动模块，所述第一N型mos管的衬底连接第一衬底驱动模块，所述第一N型mos管的栅极及衬底之间连接所述第一电荷平衡模块；所述第一栅极驱动模块包括反相器INV0及第二N型mos管，所述反相器INV0的输入端为INN端，所述反相器INV0的输出端连接所述第二N型mos管的源极，所述第二N型mos管的衬底接地，栅极为VA端，漏极连接所述第一N型mos管的栅极；所述第一电荷平衡模块包括第四N型mos管，所述第四N型mos管的源极连接所述第一N型mos管的栅极，所述第四N型mos管的栅极为VB端，所述第四N型mos管的衬底接地，所述第四N型mos管的漏极连接所述第一N型mos管的衬底；所述第一衬底驱动模块包括反相器INV1、反相器INV2及第六N型mos管，所述反相器INV2的输入端为INN端，所述反相器INV2的输出端连接所述反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端连接所述第六N型mos管的漏极，所述第六N型mos管的源极连接所述第一N型mos管的衬底，所述第六N型mos管的栅极为VC端，所述第六N型mos管的衬底接地；所述新型P输入放大管包括第一P型mos管、第二栅极驱动模块、第二衬底驱动模块及第二电荷平衡模块，所述第一P型mos管的源极为SubP端，漏极为Outp端，所述第一P型mos管的栅极连接所述第二栅极驱动模块，所述第一P型mos管的衬底连接第二衬底驱动模块，所述第一P型mos管的栅极及衬底之间连接所述第二电荷平衡模块；第二电荷平衡模块包括第五P型mos管，所述第五P型mos管的漏极连接所述第一P型mos管的栅极，所述第五P型mos管的衬底接地，所述第五P型mos管的栅极为VB2端，所述第五P型mos管的源极连接所述第一P型mos管的衬底；所述第二栅极驱动模块包括反相器INV0及第三P型mos管，所述反相器INV0的输入端为INN端，所述反相器INV0的输出端连接所述第三P型mos管的漏极，所述第三P型mos管的衬底接地，栅极为VA2端，源极连接所述第一P型mos管的栅极；所述第二衬底驱动模块包括反相器INV1、反相器INV2及第七P型mos管，所述反相器INV2的输入端为INN端，所述反相器INV2的输出端连接所述反相器INV1的输入端，所述反相器INV1的输出端连接所述第七P型mos管的源极，所述第七P型mos管的漏极连接所述第一P型mos管的衬底，所述第七P型mos管的栅极为VC2端，所述第七P型mos管的衬底接地；在VA、VC端加载高电压，VB端加载低电压，当INN反转时，VA、VC端加载低电压，VB端加载高电压；在VA2、VC2端加载低电压，VB2端加载高电压，当INN反转时，VA2、VC2端加载高电压，VB2端加载低电压。

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