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申请/专利权人：天津三安光电有限公司
摘要：本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管、二极管封装体及发光装置，发光二极管包括半导体叠层，具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上包含共晶区域和出光区域，自第一表面至第二表面包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；第一焊盘电极形成于半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与第一类型半导体层电连接；第二焊盘电极形成于半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与第二类型半导体层电连接；第一焊盘电极覆盖半导体叠层的第一侧壁，第一侧壁在第一表面所在平面的投影面积由第一表面至第二表面方向逐渐增大，避免了第一焊盘电极因半导体叠层的侧壁的凹陷而发生断裂的情况，从而保证电极延伸的连续性。
主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：半导体外延叠层，具有相对的第一表面（S1）和第二表面（S2），所述第一表面S1上包含共晶区域和出光区域，自所述第一表面（S1）至第二表面（S2）包含依次堆叠的第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；反射层，形成于所述半导体外延叠层的第二表面（S2）所在一侧；第一焊盘电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第一类型半导体层电连接；第二焊盘电极，形成于所述半导体外延叠层的第一表面的共晶区域，与所述第二类型半导体层电连接；所述第一焊盘电极覆盖所述半导体外延叠层的第一侧壁，该第一侧壁在所述第一表面（S1）所在平面的投影面积，由所述第一表面（S1）至第二表面（S2）方向逐渐增大。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津三安光电有限公司 发光二极管、二极管封装体及发光装置
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