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申请/专利权人：AMS-欧司朗国际有限公司
摘要：提出一种边缘发射的半导体激光二极管，具有：‑衬底（1），其具有第一主面和与第一主面（6）相对的第二主面（7），‑在衬底（1）的第一主面（6）上的外延半导体层堆叠（2），其中，外延半导体层堆叠（2）包括有源层（3），以用于产生电磁辐射，‑适配层（4），其布置在衬底的第二主面（7）上，和‑吸收层（5），其直接施加在适配层（4）上，并且被设置为至少部分吸收电磁辐射，其中，‑衬底（1）和适配层（4）对于在运行中产生的电磁辐射是透明的，并且‑适配层（4）被设置为增加在吸收层（5）中对电磁辐射的吸收。
主权项：1.一种边缘发射的半导体激光二极管，具有：-衬底（1），其具有第一主面（6）和与所述第一主面（6）相对的第二主面（7），-在所述衬底（1）的第一主面（6）上的外延半导体层堆叠（2），其中，所述外延半导体层堆叠（2）包括有源层（3），以用于产生电磁辐射，-至少一个适配层（4），其布置在所述衬底（1）的第二主面（7）上，和-吸收层（5），其直接施加在所述适配层（4）上，并且被设置为至少部分吸收电磁辐射，其中，-所述衬底（1）和所述适配层（4）对于在运行中产生的电磁辐射是透明的，并且-所述适配层（4）被设置为增加在所述吸收层（5）中对电磁辐射的吸收。
全文数据：
权利要求：
百度查询： AMS-欧司朗国际有限公司 边缘发射的半导体激光二极管
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