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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件，包括：衬底，在第一方向上的单元阵列区域和连接区域；以及堆叠结构，在第二方向上交替堆叠的电极层和电极间绝缘层，电极层包括交替堆叠的第一电极层和第二电极层，每个第一电极层包括第一连接部分以及第一前端和第一后端，第一连接部分在单元阵列区域中，第一前端和第一后端在连接区域中在第三方向上彼此间隔开，并且位于彼此相同的水平处，第一前端和第一后端连接到第一连接部分，第一前端具有朝向第一后端突出的第一突出部，并且第一前端的第一突出部与第二电极层不重叠。
主权项：1.一种三维半导体存储器件，包括：衬底，包括在第一方向上并排的单元阵列区域和连接区域；以及堆叠结构，包括在第二方向上交替堆叠的电极层和电极间绝缘层，所述第二方向垂直于所述衬底，所述电极层包括交替堆叠的第一电极层和第二电极层，其中，每个第一电极层包括：第一连接部分，在所述单元阵列区域中；以及第一前端和第一后端，在所述连接区域中在与所述第一方向和所述第二方向相交的第三方向上彼此间隔开，并且位于相同水平处，所述第一前端和所述第一后端连接到所述第一连接部分，所述第一前端具有朝向所述第一后端突出的第一突出部，并且所述第一前端的所述第一突出部与所述第二电极层不重叠。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 三维半导体存储器件以及包括该三维半导体存储器件的电子系统
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