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申请/专利权人：铠侠股份有限公司
摘要：本发明提供一种能高集成化的半导体存储装置及半导体装置。本发明的半导体存储装置具备第1芯片及第2芯片。第1芯片具备具有与第1方向交叉的第1面及第2面的半导体衬底，及设置在半导体衬底的第1面的多个晶体管。多个晶体管包含在与第1方向交叉的第2方向上相邻的第1晶体管及第2晶体管。半导体衬底具备：第1绝缘部件，设置在第1晶体管及第2晶体管之间，从半导体衬底的第1面沿第1方向延伸到半导体衬底的第1面及第2面之间的第1位置；及第2绝缘部件，设置在第1晶体管及第2晶体管之间的从第1方向观察时与第1绝缘部件重叠的位置，从半导体衬底的第2面沿第1方向延伸到半导体衬底的第1位置。
主权项：1.一种半导体存储装置，具备互相连接的第1芯片及第2芯片，所述第1芯片具备：半导体衬底，具有与第1方向交叉的第1面及第2面；多个晶体管，设置在所述半导体衬底的所述第1面；多个第1接点，在所述第1方向延伸，连接在所述多个晶体管；及多个第1贴合电极，经由所述多个第1接点电连接在所述多个晶体管；且所述第2芯片具备：多个第1导电层，排列在所述第1方向上；半导体柱，在所述第1方向延伸，与所述多个第1导电层对向；多个第2接点，在所述第1方向延伸，连接在所述多个第1导电层；及多个第2贴合电极，经由所述多个第2接点连接在所述多个第1导电层；所述第1芯片及所述第2芯片以所述多个第1贴合电极与所述多个第2贴合电极对向的方式配置，所述多个第1贴合电极连接在所述多个第2贴合电极，所述多个晶体管包含在与所述第1方向交叉的第2方向上相邻的第1晶体管及第2晶体管，所述半导体衬底具备：第1绝缘部件，设置在所述第1晶体管及所述第2晶体管之间，从所述半导体衬底的所述第1面沿所述第1方向延伸到所述半导体衬底的所述第1面及所述第2面之间的第1位置；及第2绝缘部件，设置在所述第1晶体管及所述第2晶体管之间的从所述第1方向观察时与所述第1绝缘部件重叠的位置，从所述半导体衬底的所述第2面沿所述第1方向延伸到所述半导体衬底的所述第1位置；所述第2绝缘部件的所述第2面中的所述第2方向的宽度大于所述第1绝缘部件的所述第1面中的所述第2方向的宽度。
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