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申请/专利权人：川奇光电科技(扬州)有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构，包括栅极、主动层、闸绝缘层、源极及漏极。主动层具有源极区、漏极区以及通道区。半导体结构至少满足以下条件其中之一：1主动层的材质包括非晶硅，且于源极区的主动层的第一厚度及于漏极区的主动层的第二厚度分别大于于通道区的主动层的第三厚度；2闸绝缘层包括第一闸绝缘层、第二闸绝缘层以及第三闸绝缘层。第二闸绝缘层位于第一闸绝缘层与第三闸绝缘层之间。第一闸绝缘层的材质与第三闸绝缘层的材质相同，而第二闸绝缘层的材质不同于第一闸绝缘层的材质。本发明的半导体结构，其在高电压驱动下可有效地降低抑制漏电流。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：栅极；主动层，配置于所述栅极上，且具有源极区、漏极区以及位于所述源极区与所述漏极区之间的通道区；闸绝缘层，配置于所述栅极与所述主动层之间；源极，配置于所述源极区上方且延伸至所述闸绝缘层上；以及漏极，配置于所述漏极区上方且延伸至所述闸绝缘层上，其中，所述半导体结构至少满足以下条件其中之一：1所述主动层的材质包括非晶硅，且于所述源极区的所述主动层的第一厚度及于所述漏极区的所述主动层的第二厚度分别大于于所述通道区的所述主动层的第三厚度；2所述闸绝缘层包括第一闸绝缘层、第二闸绝缘层以及第三闸绝缘层，所述第二闸绝缘层位于所述第一闸绝缘层与所述第三闸绝缘层之间，而所述第一闸绝缘层的材质与所述第三闸绝缘层的材质相同，而所述第二闸绝缘层的材质不同于所述第一闸绝缘层的材质。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 川奇光电科技(扬州)有限公司 半导体结构
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