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申请/专利权人：成都芯进电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种抗分层的QFN封装引线框架，涉及芯片封装技术领域。一种抗分层的QFN封装引线框架，包括框架基体，形状为方形；基岛，位于框架基体中间，四边均设置有呈锯齿形的连接线；芯片装片区，位于基岛中间，用于填装芯片；引脚，数量有多个，位于框架基体上，多个引脚围绕基岛一圈设置；半蚀刻图案，数量有多个，位于基岛上，多个半蚀刻图案围绕芯片装片区一圈设置。本发明设置有呈锯齿形的连接线和半蚀刻图案，增加了注塑时塑封料与框架基体表面的接触面积，连接线和半蚀刻图案与塑封料之间形成的互锁结构能够有效解决框架基体与塑封料的分层问题，减小了封装应力对引线框架基岛上芯片产生的影响，提高封装的稳定性和可靠性。
主权项：1.一种抗分层的QFN封装引线框架，其特征在于，包括框架基体，形状为方形；基岛，位于所述框架基体中间，四边均设置有呈锯齿形的连接线；芯片装片区，位于所述基岛中间，用于填装芯片；引脚，数量有多个，位于所述框架基体上，多个所述引脚围绕基岛一圈设置；半蚀刻图案，数量有多个，位于所述基岛上，多个所述半蚀刻图案围绕芯片装片区一圈设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都芯进电子股份有限公司 一种抗分层的QFN封装引线框架
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