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一种新型的QFN封装结构 

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申请/专利权人:苏州中瑞宏芯半导体有限公司

摘要:本发明适用于半导体芯片封装技术领域,提供了一种新型的QFN封装结构,包括上塑封体、功率sourcepin和下塑封垫:所述下塑封垫的内壁设置有芯片,所述芯片的source上连接有信号线,所述信号线的一端连接有信号pin;其中,信号pin和功率sourcepin均位于上塑封体和下塑封垫内部;减小了整个单管的体积;其中sourcepin集成为一个整体;所述芯片可以有一颗或者几颗并联;所述信号线的数量为多个,且多个信号线之间采用交叉打线方案;通过多个信号线之间采用交叉打线方案的设置,与传统的平行打线不同,采用交叉打线方案,减小驱动回路电感;通过信号pin和功率sourcepin均位于上塑封体和下塑封垫内部的设置;减小了整个单管的体积;其中sourcepin集成为一个整体,结构更为简单。

主权项:1.一种新型的QFN封装结构,其特征在于,包括上塑封体1、功率sourcepin5和下塑封垫2:所述下塑封垫2的内壁设置有芯片6,所述芯片6的source上连接有信号线4,所述信号线4的一端连接有信号pin7;其中,信号pin7和功率sourcepin5均位于上塑封体1和下塑封垫2内部。

全文数据:

权利要求:

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