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申请/专利权人：清华大学
摘要：本公开提供了具有C形沟道的竖直晶体管阵列及其制造和操作方法。在该阵列中，每个竖直晶体管包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、第一栅极和漏极，其均具有中心设置有孔的板形状，源极和漏极的孔的面积小于第一栅极的孔的面积；在第一栅极的孔的内壁上形成的第一栅介质，其在竖直方向上具有开口向内的C形剖面；在竖直方向上沿源极的孔的内壁、第一栅介质的开口和漏极的孔的内壁延伸的半导体材料层；在竖直方向上沿半导体材料层的内壁延伸的第二栅介质；以及在竖直方向上沿第二栅介质的内壁延伸的第二栅极，同一列的竖直晶体管在竖直方向上串联连接并且其第二栅极连接在一起，并且同一行的竖直晶体管的源极和漏极分别连接在一起。
主权项：1.一种具有C形沟道的竖直晶体管阵列，其中，每个竖直晶体管包括：在衬底上方在竖直方向上依次设置的源极、第一栅极和漏极，所述源极、所述第一栅极和所述漏极均具有中心设置有孔的板形状，所述源极和所述漏极的孔的面积小于所述第一栅极的孔的面积；在所述第一栅极的孔的内壁上形成的第一栅介质，所述第一栅介质在所述竖直方向上具有开口向内的C形剖面；在所述竖直方向上沿所述源极的孔的内壁、所述第一栅介质的开口和所述漏极的孔的内壁延伸的半导体材料层；在所述竖直方向上沿所述半导体材料层的内壁延伸的第二栅介质；以及在所述竖直方向上沿所述第二栅介质的内壁延伸的第二栅极，其中，所述半导体材料层的与所述第一栅介质和所述第二栅介质交叠的部分形成所述C形沟道，其中，同一列的竖直晶体管在竖直方向上串联连接并且同一列的竖直晶体管的第二栅极连接在一起，以及其中，同一行的竖直晶体管的源极连接在一起，并且同一行的竖直晶体管的漏极连接在一起。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 清华大学 具有C形沟道的竖直晶体管阵列及其制造方法和操作方法
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