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申请/专利权人：浙江工业大学
摘要：本发明公开一种原子气室的制造方法以及原子气室，涉及量子精密测量技术领域，旨在解决抗弛豫镀膜抗弛豫效果不理想或耐热性差的问题，方法包括：在硅晶圆上表面光刻气室图形以得到正面原子气室轮廓，对硅晶圆上表面进行刻蚀；在硅晶圆下表面光刻气室图形以得到背面原子气室轮廓，对硅晶圆下表面进行刻蚀；在硅晶圆上表面光刻微通道图形，进行微通道刻蚀；将硅晶圆下表面与玻璃晶圆进行阳极键合；在硅晶圆和玻璃晶圆上镀过渡层，随后在硅晶圆和玻璃晶圆上镀膜；将镀膜后的硅晶圆上表面与玻璃晶圆进行阳极键合；还包括对应的原子气室；本发明能够使原子气室具有良好的抗弛豫能力、耐热性，进一步提高测量的灵敏度。
主权项：1.一种原子气室的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在硅晶圆上表面光刻气室图形以得到正面原子气室轮廓，对硅晶圆上表面进行刻蚀；S2，在硅晶圆下表面光刻气室图形以得到背面原子气室轮廓，对硅晶圆下表面进行刻蚀；S3，在硅晶圆上表面光刻微通道图形，进行微通道刻蚀；S4，将硅晶圆下表面与玻璃晶圆进行阳极键合；S5，在硅晶圆和玻璃晶圆上镀过渡层，随后在硅晶圆和玻璃晶圆上镀膜；将镀膜后的硅晶圆上表面与玻璃晶圆进行阳极键合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江工业大学 一种原子气室的制造方法以及原子气室
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