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申请/专利权人：亨通洛克利科技有限公司
摘要：本发明提供一种亚微米级波导耦合结构，其包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；激光器芯片倒装于硅光芯片一面的安装槽中；激光器芯片包括激光器，激光器包括：磷化铟衬底以及形成于磷化铟衬底中的多量子阱结构；磷化铟衬底的上表面具有凹槽，硅光芯片的安装槽中对应设置有与凹槽相配合的定位柱；磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，出光端面通过刻蚀方式形成，并与划片端面形成台阶结构；硅波导位于硅光芯片一面上，其端面与激光器芯片的出光端面相耦合。本发明能够实现硅光芯片、激光器芯片的高效率耦合，通过对硅光芯片、激光器芯片的设计以及精确倒装，能够解决光源与硅基芯片的混合集成问题，工艺简单，适合应用于大批量生产中。
主权项：1.一种亚微米级波导耦合结构，其特征在于，所述亚微米级波导耦合结构包括：硅光芯片、激光器芯片以及硅波导；所述激光器芯片倒装于所述硅光芯片一面的安装槽中；所述安装槽的底部还沉积有一层氮化硅薄膜；所述激光器芯片包括激光器，所述激光器包括：磷化铟衬底以及形成于所述磷化铟衬底中的多量子阱结构；所述磷化铟衬底的上表面具有凹槽，所述硅光芯片的安装槽中对应设置有与所述凹槽相配合的定位柱；所述定位柱上表面通过与所述凹槽的物理接触来完成高度方向的定位；所述定位柱分前后行设置，任一行设置有间隔设置的两个定位柱；所述磷化铟衬底的端面形成出光端面和划片端面，所述出光端面通过刻蚀方式形成，并与所述划片端面形成台阶结构；所述硅波导位于所述硅光芯片一面上，其端面与所述激光器芯片的出光端面相耦合；所述出光端面及硅波导与其相耦合的端面均沉积有氮化硅薄膜；所述硅波导位于所述硅光芯片一面上，其端面与所述激光器芯片的出光端面相耦合。
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权利要求：
百度查询： 亨通洛克利科技有限公司 亚微米级波导耦合结构
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