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申请/专利权人：香港城市大学
摘要：本发明提供一种组合细晶粒与纳米孪晶的复合铜Cu结构，其提供结构稳定性和有效的表面损坏抗性，即使在延长的时段后也是如此。这提供了用于在先进封装技术中实现较精细再分布层RDL的有前景的解决方案，所述较精细RDL与常规粗晶粒线相比具有更长的电迁移寿命。
主权项：1.一种具有纳米孪晶辅助的结构上稳定的铜结构的IC封装，其特征在于，包括：衬底；芯片，其在所述衬底的表面上；第一电介质层，其覆盖所述芯片，其中所述第一电介质层包括通孔；至少一个再分布层RDL结构，其位于所述第一电介质层的表面上，其中所述至少一个RDL结构包括复合铜结构和至少一个导电特征；以及多个导电连接器，其通过所述至少一个RDL结构电连接到所述芯片，从而实现所述芯片与外部组件之间的电连接，其中所述至少一个RDL结构与常规铜结构相比至少降低10％的氧化速率，其中所述至少一个RDL结构在2×106Acm2到4×106Acm2范围内的电流密度下将电迁移寿命增加至少50％。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 香港城市大学 具有纳米孪晶辅助的结构上稳定的铜结构的IC封装
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