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申请/专利权人：湖南恩智测控技术有限公司
摘要：本申请公开了一种过压保护电路、方法、装置、源表及存储介质，通过双向光耦单元和双向稳压模块可以构成钳位电路结构，当出现输入电压超过当前档位下允许的上限时，钳位电路结构会将电压钳位在一个安全电压下，在该安全电压下，可以避免电阻分压单元输出的分压采样电压信号对采样模块造成损害，从而提高高输入电压加载到低输入量程过程中的安全性。
主权项：1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：第一MOS管，源极与栅极之间连接有第一电阻；第二MOS管，源极与所述第一MOS管的源极连接，栅极与所述第一MOS管的栅极连接；电阻分压单元，具有与所述第二MOS管的漏极连接的第一采样连接端、与地线连接的第二采样连接端和用于输出分压采样电压信号的采样信号输出端，所述第二采样连接端和所述第一MOS管的漏极共同用于接入输入电压；开关驱动单元，具有开关受控端、与所述第一MOS管的栅极连接的第一开关连接端、与所述第一MOS管的源极连接的第二开关连接端，所述开关驱动单元用于调整所述第一电阻两端的驱动电压，使所述第一MOS管和所述第二MOS管开通或断开；双向光耦单元，具有用作第一组连接端的第一光耦连接端和第二光耦连接端、以及用作第二组连接端的第三光耦连接端和第四光耦连接端，所述第三光耦连接端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第四光耦连接端与所述第一MOS管的源极连接，所述第二光耦连接端与所述第二MOS管的漏极连接；双向稳压模块，一端与所述第一光耦连接端连接，另一端通过限流电阻与地线连接；采样模块，输入端与所述采样信号输出端连接；所述双向光耦单元的导通电压与所述双向稳压模块的反向击穿电压的和，小于所述采样模块允许的安全输入电压；控制单元，分别与所述采样模块的输出端、所述开关受控端连接，用于调整所述第一MOS管和所述第二MOS管的开通状态，并在所述第一MOS管和所述第二MOS管处于开通状态下，获取所述采样模块采集的分压采样电压信号、并根据所述分压采样电压信号调整所述开关驱动单元的通断状态。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南恩智测控技术有限公司 过压保护电路、方法、装置、源表及存储介质
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