买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：江苏韦达半导体有限公司

摘要：本发明公开了一种灵敏型单向可控硅芯片及其制作工艺，属于硅芯片制作工艺技术领域，可控硅门极增加一个串联结构的三极管，形成了一个复合的可控硅，门级电流经过三极管的基区流入，经过三极管放大，电流从三极管E极流入强触发单向可控硅的基区，从而开启可控硅。该产品的温度特性好、耐压高、抗干扰能力强，有效地结合了门极灵敏性单向可控硅和强触发单向可控硅的优点，解决了两类产品应用时存在的短板，使产品的应用范围更加宽广，产品综合性能更加优越。

主权项：1.一种灵敏型单向可控硅芯片制作工艺，其特征在于：包括如下步骤：包括以下步骤，步骤一：N型单晶硅片1通过扩散炉内热氧化技术在N型单晶硅片1正面和背面皆生成二氧化硅薄膜2；步骤二：在正面和背面皆包裹有二氧化硅层薄膜2的N型单晶硅片1上通过光刻技术刻蚀出三极管基区3；步骤三：采用离子注入机对三极管基区3进行硼离子注入，采用高温扩散炉对三极管基区3进行硼再分布，形成P区4，同时该P区4表面生成一层二氧化硅薄膜2；步骤五：采用光刻机光刻在N型单晶硅片1正面和背面皆刻蚀出单向可控硅短基区5、并在N型单晶硅片1正面位于P区4上方刻蚀出三极管基区补硼区6；步骤六：采用高温扩散炉内对单向可控硅短基区5、三极管基区补硼区6进行硼掺杂，并通过再分布形成P+区7，同时该P+区7表面生成一层二氧化硅薄膜2；步骤七：采用光刻机光刻并在N型单晶硅片1正面刻蚀出三极管发射区8；步骤八：采用高温扩散炉在三极管发射区8上注入磷杂质进行三极管发射区8磷掺杂，通过磷再分布形成三极管N+区9，同时该三极管N+区9表面生成一层二氧化硅薄膜；步骤九：采用光刻机在N型单晶硅片1正面和背面刻蚀出单向可控硅阴极区10和三极管背面集电极补磷区11；步骤十：采用高温扩散炉在单向可控硅阴极区10和三极管背面集电极补磷区11进行磷掺杂，形成单向可控硅阴极区N++区12和三极管背面集电极补磷区N++区13，同时单向可控硅阴极区N++区12和三极管背面集电极补磷区N++区13的表面生成一层二氧化硅薄膜2；步骤十一：采用光刻机在N型单晶硅片1正面并位于三极管N+区9上方刻蚀出三极管发射区补磷区14；步骤十二：采用高温扩散炉对三极管发射区补磷区14进行磷扩散，形成N++区15，同时该N++区15表面生成一层二氧化硅薄膜2；步骤十三：采用光刻机在N型单晶硅片1正面和背面刻蚀出引线窗口16；步骤十四：采用LPCVD设备在低温500～800℃下在N型单晶硅片1的表面沉积一层SIPOS半绝缘多晶硅薄膜17；步骤十五：采用LPCVD设备在低温350～500℃下在N型单晶硅片1表面沉积一层LTO薄膜18作为缓冲层；步骤十六：采用光刻机在N型单晶硅片1正面和背面光刻出引线孔19，通过氟化铵腐蚀液、混合酸分别腐蚀掉引线孔19内的LTO薄膜18和SIPOS半绝缘多晶硅薄膜17；步骤十七：采用蒸发台蒸铝技术，在N型单晶硅片1正面和背面分别蒸发形成一层铝层20；步骤十八：采用光刻机在N型单晶硅片1光刻出反刻图形，并通过铝腐蚀液腐蚀掉图形以外的铝层20，从而形成各区域电极金属引线；步骤十九：采用低温敞开式扩散炉，对铝层20进行低温铝合金，使铝层20与硅形成欧姆接触；步骤二十：采用蒸发台在高真空下在N型单晶硅片1的背面蒸发一层多层金属钛镍银21。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏韦达半导体有限公司 一种灵敏型单向可控硅芯片及其制作工艺