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申请/专利权人：北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)
摘要：本发明提供一种接触式曝光中提高掩模板与光刻胶贴合程度的方法，包括如下步骤：S1、测量所用粘度光刻胶目标厚度h下，边珠宽度m和边珠高于光刻胶目标厚度h的值n；S2、提供基片并在基片上涂覆光刻胶，将涂覆光刻胶后的基片静置；S3、在边珠位置处由边珠外侧周向边沿的内侧向外刮除光刻胶，刮除厚度为h+n，刮除宽度为x，m*nh+n≤x≤m；S4、前烘基片后进行光刻实验。该方法能够在接触式曝光中解决粘性光刻胶均匀性欠缺和边珠效应导致的费涅尔衍射，使掩模板和有效图形区域的光刻胶保形接触，保证光刻图形的正常线宽，尤其适用于厚重的基片和厚光刻胶。
主权项：1.一种接触式曝光中提高掩模板与光刻胶贴合程度的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、测量所用粘度光刻胶目标厚度h下，边珠宽度m和边珠高于光刻胶目标厚度h的值n；S2、提供基片并在基片上涂覆光刻胶，将涂覆光刻胶后的基片静置；S3、在边珠位置处由边珠外侧周向边沿的内侧向外刮除光刻胶，刮除厚度为h+n，刮除宽度为x，m*nh+n≤x≤m；S4、前烘基片后进行光刻实验。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所) 一种接触式曝光中提高掩模板与光刻胶贴合程度的方法
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