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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明提出了一种具有闸流体抑制层的III族氮化物半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，上波导层与上包覆层之间设置有闸流体抑制层，闸流体抑制层与上波导层之间、闸流体抑制层与上包覆层之间均存在极化光学声子能量、纵向声速、共价键能、轻空穴有效质量和密度的角度变化。本发明能够抑制深能级缺陷中心，消除PN相互交错产生的结间电容，降低闸流体效应，同时，控制界面共价键能变化角度和界面轻空穴有效质量变化角度，消除激光器在注入电流上升过程中在阈值处产生不连续或突变现象，解决结电压上跳，串联电阻下沉和电导上跳问题。
主权项：1.一种具有闸流体抑制层的III族氮化物半导体激光元件，包括从下至上依次设置的衬底、下包覆层、下波导层、有源层、上波导层和上包覆层，其特征在于，所述上波导层与上包覆层之间设置有闸流体抑制层，所述闸流体抑制层具有极化光学声子能量特性、纵向声速特性、共价键能特性、轻空穴有效质量特性和密度特性，且所述闸流体抑制层与上波导层之间存在极化光学声子能量、纵向声速、共价键能、轻空穴有效质量和密度的角度变化；所述闸流体抑制层的极化光学声子能量的峰值位置往上波导层方向的下降角度为α，所述闸流体抑制层的纵向声速的峰值位置往上波导层方向的下降角度为β，所述闸流体抑制层的共价键能的峰值位置往上波导层方向的下降角度为γ，所述闸流体抑制层的轻空穴有效质量的峰值位置往上波导层方向的下降角度为θ，所述闸流体抑制层的密度的谷值位置往上波导层方向的上升角度为δ，其中：20°≤α≤γ≤β≤δ≤θ≤90°。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 具有闸流体抑制层的III族氮化物半导体激光元件
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