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申请/专利权人：朗姆研究公司
摘要：利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。
主权项：1.一种方法，其包括：在处理室中提供衬底，所述衬底的结构具有间隙；以及执行下列步骤的第一组一或更多循环：a将所述衬底暴露于包含抑制性气体的等离子体，以抑制所述间隙的一部分上的沉积；以及b在a后，在所述间隙中沉积电介质材料；以及在执行所述第一组一或更多循环后，在所述间隙中沉积额外电介质材料，其中所述处理室在a和b期间的压强至少为8Torr。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 朗姆研究公司 用于改善膜接缝质量和WER的高压惰性氧化和原位退火处理
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