Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 国际服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

一种集成高压启动器件的高压启动电路及其制备方法 

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

申请/专利权人:无锡硅动力微电子股份有限公司

摘要:本发明涉及开关电源技术领域,具体公开了一种集成高压启动器件的高压启动电路及其制备方法,该高压启动电路包括高压启动器件和控制电路,高压启动器件包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第一电阻,控制电路包括逻辑电路、使能模块、电压比较器、第四MOS管、电容、第二电阻和第三电阻,第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极和第三MOS管的源极均连接VCC端,第一MOS管的源极分别连接第三MOS管的栅极和第一电阻,第一MOS管的栅极分别连接第二电阻和第三电阻;第三MOS管的漏极和第二MOS管的栅极均连接逻辑电路,第二MOS管的源极接输出端。本发明能够节省工艺制造成本,提高了器件可靠性,上电延时更低,且具有较低的静态损耗。

主权项:1.一种集成高压启动器件的高压启动电路,其特征在于,包括高压启动器件和控制电路,所述高压启动器件包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3和第一电阻R1,所述控制电路包括功率管控制逻辑电路、使能模块、电压比较器、第四MOS管M4、旁路电容C1、第二电阻R2和第三电阻R3,所述第一MOS管M1的漏极、第二MOS管M2的漏极和第三MOS管M3的源极均连接VCC端,所述第一MOS管M1的源极分别连接所述第三MOS管M3的栅极和第一电阻R1的一端,所述第一MOS管M1的栅极分别连接所述第二电阻R2的一端和第三电阻R3的一端;所述第三MOS管M3的漏极和第二MOS管M2的栅极均连接所述功率管控制逻辑电路,所述第一电阻R1的另一端连接所述第四MOS管M4的漏极,所述电压比较器的第一输入端、旁路电容C1的一端和所述第二电阻R2的另一端均连接VDD端,所述电压比较器的第二输入端连接参考电压Ref,所述电压比较器的输出端通过所述使能模块连接所述第四MOS管M4的栅极,所述第四MOS管M4的源极、旁路电容C1的另一端和第三电阻R3的另一端均接地,所述第二MOS管M2的源极接输出端。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 无锡硅动力微电子股份有限公司 一种集成高压启动器件的高压启动电路及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。