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申请/专利权人：深圳技术大学
摘要：本发明公开了一种高速多次谐波倍频光子晶体面发射激光器及其制备方法。其中，激光器包括：高速VCSEL及与高速VCSEL键合的基于连续束缚态的多次谐波光子晶体，其中，高速VCSEL由下至上依次包括衬底层、缓冲层、n型电极、n型DBR、间隔层、有源区、p型DBR、氧化限制层以及p型电极；多次谐波光子晶体包括多次谐波光子晶体平板层和光敏BCB键合层；光敏BCB键合层设于p型电极及多次谐波光子晶体平板层之间，多次谐波光子晶体平板层中设有基于连续束缚态的可激发多次谐波的光子晶体结构。实施本发明提高了短波长激光器的高速调制性能。
主权项：1.一种高速多次谐波倍频光子晶体面发射激光器，其特征在于，包括：高速VCSEL及与所述高速VCSEL键合的基于连续束缚态的多次谐波光子晶体，其中，所述高速VCSEL由下至上依次包括衬底层、缓冲层、n型电极、n型DBR、间隔层、有源区、p型DBR以及p型电极，所述高速VCSEL还包括氧化限制层，所述氧化限制层位于所述有源区和所述p型DBR之间或者位于所述有源区和所述n型DBR之间；所述多次谐波光子晶体包括多次谐波光子晶体平板层和光敏BCB键合层；所述光敏BCB键合层设于所述p型电极及所述多次谐波光子晶体平板层之间，所述多次谐波光子晶体平板层中设有基于连续束缚态的可激发多次谐波的光子晶体结构；其中，所述多次谐波光子晶体平板层包括由内至外的核心区晶格、过渡区晶格以及外部区晶格，所述核心区晶格、所述过渡区晶格以及外部区晶格相互嵌套构成异质结构腔，且所述核心区晶格、所述过渡区晶格以及外部区晶格的孔径不同；所述核心区晶格的孔径小于所述过渡区晶格的孔径，所述过渡区晶格的孔径小于所述外部区晶格的孔径。
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百度查询： 深圳技术大学 高速多次谐波倍频光子晶体面发射激光器及其制备方法
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