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申请/专利权人：骏盈半导体(上海)有限公司

摘要：一种防止浮空状态的欠压检测电路，其特征在于：所述电路包括带隙基准单元、电流比较单元、输出单元和低压补偿单元；其中，所述带隙基准单元，与所述电流比较单元连接，用于根据输入电压的大小生成差分电流；所述电流比较单元，与所述输出单元连接，用于接收所述差分电流并提供给所述输出单元；所述输出单元，用于生成欠压锁定输出信号；所述低压补偿单元，分别连接在所述带隙基准单元的两个支路上，用于根据不同的输入电压实现对所述差分电流的调节。本发明方法简单、思路巧妙，通过简单增加MOS管元件，就可以在输入电压较低时，防止欠压锁定逻辑的失灵。

主权项：1.一种防止浮空状态的欠压检测电路，其特征在于：所述电路包括带隙基准单元、电流比较单元、输出单元和低压补偿单元；其中，所述带隙基准单元，与所述电流比较单元连接，用于根据输入电压的大小生成差分电流；所述电流比较单元，与所述输出单元连接，用于接收所述差分电流并提供给所述输出单元；所述输出单元，用于生成欠压锁定输出信号；所述低压补偿单元，分别连接在所述带隙基准单元的两个支路上，用于根据不同的输入电压实现对所述差分电流的调节；所述带隙基准单元包括分压电阻Rf1、Rf2、滤波电容Cf、第一支路与第二支路；其中，所述第一支路中包括依次连接的MOS管Mp0、三级管Q1和电阻R1，所述第二支路中包括依次连接的MOS管Mp1和三极管Q2；所述MOS管Mp0和Mp1镜像方式连接，并且栅极接入控制电压BPC；所述低压补偿单元包括第一补偿单元和第二补偿单元；所述第一补偿单元和所述第二补偿单元分别并联至所述第一支路和所述第二支路中三极管的集电极、发射极之间；所述第一补偿单元和所述第二补偿单元分别为栅极受到控制电压BN1控制的MOS管Mn7和Mn8；所述MOS管Mn7和Mn8的数量之比与所述三极管Q1和Q2的数量之比相等；当所述输入电压的分压小于带隙基准单元的最小开启电压V1时，所述第一补偿电流与所述第二补偿电流之比等于所述第一支路电流与所述第二支路电流；所述电流比较单元的输出电流升高，确保所述欠压锁定输出信号为高电平状态；当所述输入电压的分压大于带隙基准单元的最小开启电压V1时，所述第一补偿电流受到电阻R1升压的影响而减小，第一补偿电流的增速小于第二补偿电流的增速；所述电流比较单元的输出电流逐渐降低，所述欠压锁定输出信号的电压逐渐降低；当所述电流比较单元的输出电流降低为0时，所述欠压锁定输出信号为低电平状态。

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