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申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
摘要：本发明提供一种MOS电容器件及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在介质层上方形成第一电极；在衬底背面形成第二电极。衬底作为电容器件的一部分，形成的电容器件作为独立的器件。增加了电容器件设计的灵活性。本方法分别形成多层介质层，利于控制整个介质层的厚度、致密度以及厚度的均匀性，实现良好的介质层厚度均匀性，这样有利于提高电容值的精确度。上述独立的电容器件适用于高频应用，在高频应用下，具有精确的阻抗匹配及去噪滤波功能，具有大功率、高击穿电压、低损耗及高精确度等性能特点。上述电容器件可与其他器件在电路基板上封装组合形成器件模组，增加了半导体集成电路设计的灵活性。
主权项：1.一种MOS电容器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供衬底，所述衬底具有衬底正面及衬底背面；在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层；在所述介质层上方形成第一电极；在所述衬底背面形成第二电极；其中，在所述衬底正面上形成包括多层结构的介质层包括以下步骤：在所述衬底正面上形成第一介质层；在所述第一介质层上方形成第二介质层；测量所述第二介质层的厚度，形成所述第二介质层的厚度地形图；根据所述第二介质层的厚度地形图调整形成下一介质层的厚度地形图；根据所述下一介质层的厚度地形图在所述第二介质层上方形成第三介质层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种MOS电容器件及其制造方法
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