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一种集成电流传感器的碳化硅mos功率器件 

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申请/专利权人:深圳爱仕特科技有限公司

摘要:本发明公开了一种集成电流传感器的碳化硅mos功率器件,其包括:芯片设置有主电流mosfet单元和电流传感器,电流传感器设置有传感器mosfet单元;芯片设置有隔离区域,电流传感器集成在隔离区域,芯片设置有对应于所述传感器mosfet单元的金属化源极,金属化源极形成有感测源极焊盘,电流传感器布置在感测源极焊盘的边缘;传感器mosfet单元与主电流mosfet单元形成有公共栅极和公共漏极,传感器mosfet单元与主电流mosfet单元分别形成有独立的源极引出端,芯片设置有对应于公共栅极的公共栅极焊盘;电流传感器及其检测电阻与传感器mosfet单元的源极引出端电连接。实现获取更快的检测响应速率,以及利于在大功率应用中的检测。

主权项:1.一种集成电流传感器的碳化硅mos功率器件,其特征在于,包括:芯片,所述芯片设置有主电流mosfet单元和电流传感器,所述电流传感器设置有传感器mosfet单元;所述芯片设置有隔离区域,所述电流传感器集成在所述隔离区域,所述芯片设置有对应于所述传感器mosfet单元的金属化源极,所述金属化源极形成有感测源极焊盘,所述电流传感器布置在所述感测源极焊盘的边缘;所述传感器mosfet单元与所述主电流mosfet单元形成有公共栅极和公共漏极,所述传感器mosfet单元与所述主电流mosfet单元分别形成有独立的源极引出端,所述芯片设置有对应于所述公共栅极的公共栅极焊盘;所述电流传感器及其检测电阻与所述传感器mosfet单元的源极引出端电连接。

全文数据:

权利要求:

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