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申请/专利权人：南亚科技股份有限公司
摘要：本公开提供一种存储器元件及其制备方法。该存储器元件包括一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；以及一栅极介电层，将该基底与该第一栅极电极分开，且将该第二栅极电极与该基底分开。该栅极介电层包括一第一介电层，设置在该基底内并侧向围绕该第一栅极电极；一第二介电层，设置在该第一介电层上并侧向围绕该第二栅极电极；以及一低k层，设置在该第一介电层上并被该第二介电层所侧向围绕，其中该低k层具有一介电常数，其小于该第一介电层或该第二介电层的一介电常数。
主权项：1.一种存储器元件，包括：一基底；一第一栅极电极，设置在该基底内；一第二栅极电极，设置在该基底内以及在该第一栅极电极上；以及一栅极介电层，将该基底与该第一栅极电极分开，并将该第二栅极电极与该基底分开，其中该栅极介电层包括：一第一介电层，设置在该基底内并侧向围绕该第一栅极电极；一第二介电层，设置在该第一介电层上并侧向围绕该第二栅极电极；以及一低k层，设置在该第一介电层上并被该第二介电层所侧向围绕，其中该低k层具有一介电常数，其小于该第一介电层或该第二介电层的一介电常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有减少寄生电容的存储器元件
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