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申请/专利权人：江苏第三代半导体研究院有限公司
摘要：本发明公开了一种全彩量子点发光二极管及其制备方法。制备方法包括：提供衬底；在衬底的一侧制备电子提供层；在电子提供层背离衬底的一侧制备第一颜色量子阱层，第一颜色量子阱层为含In量子阱层；对第一颜色量子阱层进行高温退火，以使部分区域的第一颜色量子阱层中In解析附形成多个孔洞；向孔洞内转移第二颜色量子点；在第一颜色量子阱层背离电子提供层的一侧制备空穴提供层。通过上述方案，可直接原位在第一颜色量子阱层中制备出用于容纳第二颜色量子点的孔洞，从而简化器件制备流程、降低制备难度。通过In解析附形成的孔洞尺寸较小，有利于增加孔洞排布密度，实现量子点的高密度集成，实现高质量的全彩显示。
主权项：1.一种全彩量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底的一侧制备电子提供层；在所述电子提供层背离衬底的一侧制备第一颜色量子阱层；所述第一颜色量子阱层为含In量子阱层；对所述第一颜色量子阱层进行高温退火，以使部分区域的所述第一颜色量子阱层中In解析附形成多个孔洞；所述孔洞由所述第一颜色量子阱层背离所述电子提供层的一侧表面向下延伸，相邻所述孔洞之间通过量子阱层本体间隔；向所述孔洞内转移第二颜色量子点；在所述第一颜色量子阱层背离所述电子提供层的一侧制备空穴提供层。
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百度查询： 江苏第三代半导体研究院有限公司 一种全彩量子点发光二极管及其制备方法
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