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申请/专利权人：浙江富乐德石英科技有限公司;浙江理工大学
摘要：本发明公开了一种石英衬底β‑Ga2O3基偏振敏感光电突触及其制备方法，依次包括作为衬底的单晶石英衬底，设置于单晶石英衬底上的各向异性β‑Ga2O3外延薄膜层，设置于β‑Ga2O3外延薄膜层上的电极TiAu薄膜层，所述的石英衬底为与β‑Ga2O3各向异性周期性匹配的m或r面单晶石英衬底,所述的β‑Ga2O3外延薄膜层兼具各向异性和高氧空位缺陷。本发明制得偏振敏感突触器件可以模拟一系列偏振敏感的突触活动和偏振相关的图像感知、学习和识别，在偏振成像、加密光通信等方面显示出巨大的潜力。
主权项：1.一种石英衬底β-Ga2O3外延薄膜的偏振敏感光电突触，其特征在于，所述偏振敏感光电突触依次包括作为衬底的单晶石英衬底1，设置于单晶石英衬底1上的各向异性β-Ga2O3外延薄膜2，设置于β-Ga2O3外延薄膜2上的电极TiAu薄膜3，所述的石英衬底1为与β-Ga2O3外延薄膜2各向异性的周期性匹配的m或r面单晶石英衬底1,所述的β-Ga2O3外延薄膜层2兼具各向异性和高氧空位缺陷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江富乐德石英科技有限公司 浙江理工大学 一种石英衬底/β-Ga2O3外延薄膜偏振敏感光电突触及其制备方法
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