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申请/专利权人：北京芯力技术创新中心有限公司
摘要：本发明属于半导体器件制造领域，尤其涉及一种晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件。所述晶圆混合键合纳米线形成方法包括以下步骤：步骤S1，蚀刻工序：利用大马士革工艺在晶圆的衬底上蚀刻形成混合键和焊盘，利用CuCMP工艺去除所述混合键和焊盘最外层的表面部分上的Cu，从而在所述混合键合焊盘上从最外层部分开始往内生成碟形凹陷形貌；步骤S2，多孔薄膜贴合工序：以能够保证在指定位置上，按照从下到上的指向性向上生长铜纳米线的方式，在所述晶圆的表面覆盖并贴合多孔薄膜；步骤S3，纳米线生长工序：通过电化学沉积工艺沿所述多孔薄膜的多个孔内生成多个铜纳米线。本发明通过利用上述工艺方法，显著增大混合键合金属之间的接触面积，从而增加了金属与金属键合的结合力，最终显著增加了半导体器件的键合强度。
主权项：1.一种晶圆混合键合纳米线形成方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，蚀刻工序：利用大马士革工艺在晶圆的衬底上蚀刻形成混合键和焊盘，利用CuCMP工艺去除所述混合键和焊盘最外层的表面部分上的Cu，从而在所述混合键合焊盘上从最外层部分开始往内生成碟形凹陷形貌；步骤S2，多孔薄膜贴合工序：以能够保证在指定位置上，按照从下到上的指向性向上生长铜纳米线的方式，在所述晶圆的表面覆盖并贴合多孔薄膜；步骤S3，纳米线生长工序：通过电化学沉积工艺沿所述多孔薄膜的多个孔内生成多个铜纳米线。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京芯力技术创新中心有限公司 晶圆混合键合纳米线形成方法及半导体器件
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