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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种绝缘体上半导体衬底及其制作方法，该绝缘体上半导体衬底的制作方法包括以下步骤：提供一裸基底，并于所述基底上表面形成第一预设厚度的第一单晶半导体层；于所述第一单晶半导体层的上表面形成第二预设厚度的单晶金刚石层；于所述单晶金刚石层的上表面形成第三预设厚度的第二单晶半导体层。本发明通过将基底上形成的包括第一预设厚度的第一单晶半导体层、第二预设厚度的单晶金刚石层及第三预设厚度的第二单晶半导体层的叠层结构作为绝缘体上半导体衬底，减弱了基于该衬底制作的半导体器件受到的衬底噪声的影响，提升了半导体器件的散热性能及稳定性。
主权项：1.一种绝缘体上半导体衬底的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一裸基底，并于所述基底上表面形成第一预设厚度的第一单晶半导体层；于所述第一单晶半导体层的上表面形成第二预设厚度的单晶金刚石层；于所述单晶金刚石层的上表面形成第三预设厚度的第二单晶半导体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 一种绝缘体上半导体衬底及其制作方法
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