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申请/专利权人：巴斯夫欧洲公司

摘要：本发明涉及一种组合物，其用于在硅层或具有第二锗含量的第二硅锗层的存在下选择性地蚀刻具有第一锗含量的第一硅锗层，其中该第一锗含量高于该第二锗含量，该组合物包含：a按重量计0.1％至10％的氧化剂；b按重量计1％至20％的包含氟离子源的蚀刻剂；c按重量计0.001％至3％的具有式S1的选择性增强剂d按重量计0.001％至3％的具有式S41的额外的选择性增强剂或其衍生物，这些衍生物可通过具有式S41的化合物的均缩合或通过具有式S41的化合物与具有式S42的硅烷以0.1或更大的重量比共缩合而获得以及e水；其中RS1选自XS‑OH和YS‑CO‑OH；RS2选自iRS1、iiH、iiiC1至C10烷基、ivC1至C10烯基、vC1至C10炔基和vi‑XS1‑O‑C2H3RS6m‑ORS6；RS6选自H和C1至C6烷基；RS41是C1至C6烷基，其可以是未取代的或者被‑NRS61RS62或‑ORS61取代；RS42、RS43独立地选自C1至C6烷氧基和C1至C6烷基，这两者都可以是未取代的或者被‑NRS61RS62或‑ORS61取代；RS51、RS52独立地选自C1至C6烷基，其可以是未取代的或者被‑NRS61RS62或‑ORS61取代；RS61、RS62独立地选自H和C1至C6烷基；XS选自直链或支链C1至C10烷二基、直链或支链C2至C10烯二基、直链或支链C2至C10炔二基和‑XS1‑O‑C2H3RS6m‑；YS选自化学键和XS；XS1是C1至C6烷二基；并且m是1至30的整数。

主权项：1.一种组合物，其用于在硅层或具有第二锗含量的第二硅锗层的存在下选择性地蚀刻具有第一锗含量的第一硅锗层，其中该第一锗含量高于该第二锗含量，该组合物包含：a按重量计0.1％至10％的氧化剂；b按重量计1％至20％的包含氟离子源的蚀刻剂；c按重量计0.001％至3％的具有式S1的选择性增强剂 d按重量计0.001％至3％的具有式S41的额外的选择性增强剂 或其衍生物，这些衍生物可通过具有式S41的化合物的均缩合或通过具有式S41的化合物与具有式S42的硅烷以0.1或更大的重量比共缩合而获得 以及e水；其中RS1选自XS-OH和YS-CO-OH；RS2选自iRS1、iiH、iiiC1至C10烷基、ivC1至C10烯基、vC1至C10炔基和vi-XS1-O-C2H3RS6m-ORS6；RS6选自H和C1至C6烷基；RS41是C1至C6烷基，其可以是未取代的或者被-NRS61RS62或-ORS61取代；RS42、RS43独立地选自C1至C6烷氧基和C1至C6烷基，这两者都可以是未取代的或者被-NRS61RS62或-ORS61取代；RS51、RS52独立地选自C1至C6烷基，其可以是未取代的或者被-NRS61RS62或-ORS61取代；RS61、RS62独立地选自H和C1至C6烷基；XS选自直链或支链C1至C10烷二基、直链或支链C2至C10烯二基、直链或支链C2至C10炔二基和-XS1-O-C2H3RS6m-；YS选自化学键和XS；XS1是C1至C8烷二基；并且m是1至30的整数。

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权利要求：

百度查询： 巴斯夫欧洲公司 用于选择性地蚀刻硅-锗材料的组合物、其用于选择性地蚀刻硅-锗材料的用途和用于选择性地蚀刻硅-锗材料的方法