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申请/专利权人：江苏飞特尔通信有限公司;深圳飞特尔科技有限公司

摘要：本发明提供一种用于LTCC的TG‑DSC测试的GeTe薄膜材料样品及其制备方法。GeTe薄膜材料样品的制备方法包括：1将基片进行清洗并烘烤，得预处理基片；2在预处理基片上旋涂反转光刻胶，得基片和光刻胶的组合物；3对基片和光刻胶的组合物进行烘烤和曝光处理；4显影处理；5通过磁控溅射沉积GeTe薄膜，得GeTe薄膜基片；6对GeTe薄膜基片进行剥离，即得GeTe薄膜材料样品。本发明的制备方法制备的GeTe薄膜材料样品可完整的从基片上脱落，避免了在收集薄膜的过程中一部分薄膜附着在基片或者基片的成分掺杂在测试的薄膜样品中，使得薄膜的有效利用率低以及测试有效率低的问题。

主权项：1.一种用于LTCC的TG-DSC测试的GeTe薄膜材料样品的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1将基片清洗并烘烤，得预处理基片；2在预处理基片上旋涂反转光刻胶，得基片和光刻胶的组合物；3对基片和光刻胶的组合物进行烘烤和曝光处理；4对经过步骤3处理后的基片和光刻胶的组合物进行显影处理；5通过磁控溅射对显影后的基片和光刻胶的组合物进行GeTe薄膜沉积，得GeTe薄膜基片；6对GeTe薄膜基片进行剥离，即得GeTe薄膜材料样品；所述步骤2中反转光刻胶为AZ5214反转胶，反转光刻胶的厚度为0.8~1.2μm；所述步骤2中旋涂包括一次旋涂及二次旋涂；所述一次旋涂转速为900~1100rpm，旋涂时间为8~12s；所述二次旋涂转速为2500~3500rpm，旋涂时间为25~35s；所述步骤3中烘烤和曝光包括以下步骤：先在90~110℃条件下烘烤55~65s，然后对烘烤后的基片和光刻胶组合物进行3~5s的第一次曝光；再于110~130℃条件下烘烤80~100s，随后进行35~45s的第二次曝光；所述曝光过程中不使用掩膜版；所述步骤4包括以下步骤：对二次曝光后的基片和光刻胶的组合物进行30s的显影，再采用去离子水冲洗，氮气吹干；所述GeTe薄膜材料样品厚度0.6~1μm。

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