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申请/专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
摘要：本发明公开了一种用于高真空环境下的中子屏蔽管道，包括：由屏蔽材料制成的内管，和套设在内管外壁上的外管；所述内管的外径与所述外管的内径基本相同，所述内管的延伸方向、延伸长度与所述外管的延伸方向、延伸长度均一致；所述外管用于向内管提供真空环境，所述内管的内壁围合成用于供中子输运的通道；所述内管的内壁、外壁及端面均匀涂覆有预设厚度的涂覆层，所述涂覆层用于降低内管的出气率。由屏蔽材料制成的内管不仅能够有效的屏蔽核辐射的影响，还能在涂覆层的作用下，降低内管的出气率，不会对真空环境产生影响，可在高真空环境中使用。
主权项：1.一种用于高真空环境下的中子屏蔽管道，其特征在于，包括：由屏蔽材料制成的内管，和套设在内管外壁上的外管；所述内管的外径与所述外管的内径基本相同，所述内管的延伸方向、延伸长度与所述外管的延伸方向、延伸长度均一致；所述外管用于向内管提供真空环境，所述内管的内壁围合成用于供中子输运的通道；所述内管的内壁、外壁及端面均匀涂覆有预设厚度的涂覆层，所述涂覆层用于降低内管的出气率；所述通道分为同轴线的第一通道段和第二通道段；所述第一通道段沿内管轴线方向的内径一致，且相同于所述第二通道段靠近第一通道段的一端的内径；所述第二通道段靠近第一通道段的一端与所述第一通道段相互贯通，所述第二通道段的内径从所述第二通道段靠近第一通道段的一端至远离第一通道段的另一端依次均匀递增；中子束流从所述第二通道段远离第一通道段的另一端至所述第一通道段远离第二通道段的一端的方向输运；还包括：设置在所述内管两端部上的定位组件，所述定位组件包括定位环；所述外管的两端部均安装有法兰盘，所述法兰盘的内径大于或等于所述外管的内径，所述内管的两端外壁位于所述法兰盘的位置处为环状台阶面，所述环状台阶面的外径小于所述内管的外径；所述定位环位于所述环状台阶面与所述法兰盘的内壁之间；所述涂覆层为通过磁控溅射沉积在所述内管的内壁、外壁及端面上的碳膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 散裂中子源科学中心 中国科学院高能物理研究所 一种用于高真空环境下的中子屏蔽管道
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