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申请/专利权人：无锡影速半导体科技有限公司
摘要：本申请涉及一种曝光辐射功率确定方法、系统、设备和介质，其中方法包括：获取目标图形曝光形成原始图形的初始尺寸以及目标图形曝光形成最终图形的最终尺寸，原始图形为与目标图形尺寸相同的图形，最终图形为曝光目标图形至图形外延不变时的图形；根据初始尺寸和最终尺寸，确定原始图形至最终图形的外延长度；获取目标图形在曝光过程中从初始尺寸递增至多个目标外延值时的多个曝光图形，并获取各曝光图形外延边界的图像灰度值及其曝光辐射功率；根据各图像灰度值和曝光辐射功率，生成图像灰度值与曝光辐射功率的对应关系。本申请的方法可以根据相机拍摄的图片的灰度值准确确定曝光镜头不同出光位置的曝光辐射功率。
主权项：1.一种曝光辐射功率确定方法，适用于晶圆光刻成像的工艺，其特征在于，所述曝光辐射功率确定方法包括：获取目标图形曝光形成原始图形的初始尺寸以及所述目标图形曝光形成最终图形的最终尺寸，所述原始图形为与所述目标图形尺寸相同的图形，所述最终图形为曝光所述目标图形至图形外延不变时的图形；根据所述初始尺寸和所述最终尺寸，确定所述原始图形至所述最终图形的外延长度，所述外延长度为从所述初始尺寸增加至所述最终尺寸的长度；获取所述目标图形在曝光过程中，从所述初始尺寸递增至多个目标外延值时的多个曝光图形，并获取各所述曝光图形外延边界的图像灰度值及其曝光辐射功率，所述目标外延值为所述外延长度内的某一值；根据各所述图像灰度值和所述曝光辐射功率，生成图像灰度值与曝光辐射功率的对应关系，所述对应关系用于根据相机拍摄的图片的灰度值确定曝光镜头不同出光位置的曝光辐射功率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡影速半导体科技有限公司 曝光辐射功率确定方法、系统、设备和介质
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