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申请/专利权人：常州大学
摘要：本发明公开了一种利用熔体净化和控温凝固确定铝硅合金伪共晶形成区域的方法，包括，将成分比例为25％Na3AlF6+55％NaCl+20％MgCl2卤盐净化剂熔化后，制得熔化后的净化剂；将Al‑13％Si～Al‑19％Si过共晶铝硅合金浸没在熔化的净化剂中，熔炼制得合金熔化后的合金液；将内腔尺寸为φ5×100的金属型放置于井式炉中保温，保温温度为530℃～380℃；将合金熔体迅速浇注到内腔尺寸为φ5×100的放置于井式炉的金属型中成型，保温3min。本发明在固定铝硅合金成分的前提下，利用熔体净化对金属液进行除杂和除气，然后利用控温凝固实现热力学过冷，确定铝硅合金的伪共晶形成区域。
主权项：1.一种利用熔体净化和控温凝固确定铝硅合金伪共晶形成区域的方法，其特征在于：包括，配制卤盐净化剂；配置不同硅含量的过共晶铝硅合金；将过共晶铝硅合金浸没在熔化的卤盐净化剂中进行熔炼后保温，将初生硅完全溶解；将金属型保温，将合金熔体迅速浇注到金属型中成型；根据凝固组织分析找到不同硅含量铝硅合金形成伪共晶区的临界温度，确定铝硅合金体系的伪共晶形成区域。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 常州大学 一种利用熔体净化和控温凝固确定铝硅合金伪共晶形成区域的方法
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