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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司
摘要：本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括半导体基体，具有第一表面；隧穿层，设置在第一表面上；非晶硅层，设置在隧穿层的背离半导体基体的一侧表面上；微晶硅层，设置在非晶硅层背离隧穿层的一侧表面上。在隧穿层外生长非晶硅层，形成具有隧穿层‑非晶硅层‑微晶层结构的钝化结构。微晶硅层的晶粒结构比非晶硅更有序，可形成更均匀的钝化膜，提高钝化结构的钝化作用，使得太阳能电池中的钝化结构能够满足场钝化的需求。另一方面非晶硅层与微晶层形成一个整体的晶硅结构，由于该结构更加均匀和致密，晶体内部具有较少的裂缝和孔隙，在生长过程中较难困住气体和形成气泡，有效规避钝化结构的起泡风险。
主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：半导体基体，具有第一表面；隧穿层，设置在所述第一表面上；非晶硅层，设置在所述隧穿层的背离所述半导体基体的一侧表面上；微晶硅层，设置在所述非晶硅层背离所述隧穿层的一侧表面上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 横店集团东磁股份有限公司 太阳能电池及其制备方法
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