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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种反相电路以及TTL电路，包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一，晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管；晶体管一的栅极接晶体管三的栅极，并作为反相电路的输入端，晶体管一的源极接电源电压VEE，晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极，电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地，晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接，并作为反相电路的输出端，晶体管三的源极接电源电压。优点：大大提高电路的可靠性，整形波形，使输出电压更加接近0V和‑5V，提高驱动负载能力；减少成本，降低系统复杂度，同时该驱动电路功耗较低，提供良好的驱动能力。
主权项：1.一种反相电路，其特征在于，包括晶体管一、晶体管二、晶体管三和电阻一，所述晶体管一、晶体管二、晶体管三均采用增强型伪高电子迁移率晶体管；所述晶体管一的栅极接晶体管三的栅极，并作为反相电路的输入端，晶体管一的源极接电源电压VEE，晶体管一的漏极分别接电阻一的一端、晶体管二的栅极，电阻一的另一端和晶体管二的漏极接地，晶体管二的源极和晶体管三的漏极相接，并作为反相电路的输出端，晶体管三的源极接电源电压VEE。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种反相电路以及TTL电路
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