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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供了一种表面活化键合方法及设备，涉及芯片制造技术领域；该表面活化键合方法包括：将第一样品和第二样品分别进行表面活化处理，得到第一待键合样品和第二待键合样品；将所述第一待键合样品和第二待键合样品对准贴合，得到待键合样品对；在预设真空度下，对待键合样品对施加预设压力，然后在所述第一待键合样品和第二待键合样品之间同时施加偏置电压和脉冲电压进行室温键合，得到键合样品对。对于表面粗糙度较高的样品，采用本发明提供的表面活化键合方法，可以在较低的真空条件下制得的键合强度较高的产品。
主权项：1.一种表面活化键合方法，其特征在于，包括：步骤S1、将第一样品和第二样品分别进行表面活化处理，得到第一待键合样品和第二待键合样品；其中，所述表面活化处理包括原子束轰击和等离子体轰击中的一种；步骤S2、将所述第一待键合样品和所述第二待键合样品对准贴合，得到待键合样品对；步骤S3、在预设真空度下，对所述待键合样品对施加预设压力，然后在所述第一待键合样品和所述第二待键合样品之间同时施加偏置电压和脉冲电压进行室温键合，得到键合样品对；其中，所述预设真空度不高于10-2Pa，所述偏置电压与所述脉冲电压的方向相同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种表面活化键合方法及设备
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